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碲(di)化鉍(bi)晶(jing)(jing)(jing)體(ti) Bi2Te3（Bismuth Telluride） 晶(jing)(jing)(jing)體(ti)結構：六(liu)邊形晶(jing)(jing)(jing)體(ti)尺寸：~10毫米 電(dian)氣性(xing)能：拓撲絕緣體(ti)的 晶(jing)(jing)(jing)體(ti)結構：六(liu)邊形 晶(jing)(jing)(jing)胞參(can)數(shu)：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)(jing)(jing)體(ti)類型：合成 晶(jing)(jing)(jing)體(ti)純度：＞99.995%

二碲化鉿晶(jing)(jing)體(ti)(ti) HfTe2（Hafnium Telluride） 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)尺寸：~10毫米 電學性(xing)能：半金(jin)屬(shu) 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)結構(gou)：六邊形 晶(jing)(jing)胞參數：a = b = 0.395 nm, c = 0.666 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)類型(xing)：合成 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)純度：＞99.995%

二碲(di)化鉬晶(jing)體(ti) 1T-MoTe2（Molybdenum Ditelluride） 晶(jing)體(ti)尺寸：~10毫米 電學特(te)性：金屬 晶(jing)體(ti)結(jie)構：單斜晶(jing)系 晶(jing)胞參數：a = 0.621 nm, b = 0.347 nm, c = 1.383 nm, α = γ = 90°, β = 93.83 ° 晶(jing)體(ti)類(lei)型：合(he)成(cheng) 晶(jing)體(ti)純度(du)：＞99.995%

二碲化鈮(ni)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti) NbTe2（Niobium Selenide） 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)尺寸：~8毫米 電學(xue)性能：金(jin)屬，半導體(ti)(ti)(ti)(ti)（TC ~ 0.7k） 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)結構：單斜(xie)晶(jing)(jing)系，C 晶(jing)(jing)胞(bao)參數：a＝1.470 nm，b＝0.364，c＝0.935 nm，α＝γ＝90°，β＝108° 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)類型(xing)：合(he)成 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)純度(du)：＞99.995%

二(er)碲化鈦晶體(ti) TiTe2（Titanium Ditelluride） 晶體(ti)尺寸：~8毫米 電學性能：半(ban)金屬 晶體(ti)結構：六邊形 晶胞(bao)參(can)數：a = b = 0.377 nm, c = 0.649 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(ti)類型(xing)：合成 晶體(ti)純度：＞99.995%

二碲化鎢晶體 WTe2（Tungsten Ditelluride） 晶體尺寸：10毫米 電學性(xing)能：半金屬(shu)，type II Weyl semimetal （WSM） 晶體結(jie)構：斜方晶系 P 晶胞參數：a = 0.348 nm, b = 0.625 nm, c = 1.405 nm, α = β = γ = 90° 晶體類型：合成 晶體純度(du)：＞99.995% 屬(shu)性(xing)：半導體