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硒化鉍晶(jing)(jing)體(ti)(ti) Bi2Se3（Bismuth Selenide） 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)尺寸：10毫米(mi) 電(dian)學(xue)性(xing)能：拓撲絕緣體(ti)(ti) 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)結構：菱面體(ti)(ti) 晶(jing)(jing)胞參(can)數(shu)：a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)類型(xing)：合成 晶(jing)(jing)體(ti)(ti)純度：＞99.995%

硒化鎵晶(jing)體(ti) 2H-GaSe（Gallium Selenide） 晶(jing)體(ti)尺寸：10毫米 電學性(xing)能：半(ban)導體(ti) 晶(jing)體(ti)結構：六邊形(xing) 晶(jing)胞參數(shu)：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶(jing)體(ti)類(lei)型：合成 晶(jing)體(ti)純度(du)：＞99.995%

硒化鍺晶體(ti)(ti)(ti) GeSe （Germanium Selenide） 晶體(ti)(ti)(ti)尺寸：~10毫(hao)米(mi) 電學性(xing)能(neng)：半導體(ti)(ti)(ti) 晶體(ti)(ti)(ti)結構(gou)：斜(xie)方晶系 晶胞參數：a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90° 晶體(ti)(ti)(ti)類型：合成 晶體(ti)(ti)(ti)純度：＞99.995%

二硒化鉿晶(jing)體 HfSe2（Hafnium Selenide） 晶(jing)體尺寸：~10毫米 電學性能：半導(dao)體 晶(jing)體結構(gou)：六邊形(xing) 晶(jing)胞參數：a = b = 0.3745 nm, c = 0.6160 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)體類型：合(he)成 晶(jing)體純度：＞99.995%

硒化銦(yin)晶體(ti) In2Se3（Indium Selenide） 晶體(ti)尺(chi)寸(cun)：8-10毫米 電學性(xing)能(neng)：半(ban)導體(ti) 晶體(ti)結構：六邊形(xing) 晶胞參數：a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(ti)類型：合(he)成 晶體(ti)純(chun)度：＞99.995%

二(er)硒化鉬晶(jing)體 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-P型 晶(jing)體尺寸：~10毫(hao)米 電學特性：P型半導(dao)體 晶(jing)體結(jie)構：六邊形 晶(jing)胞參數：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)體類型：合成 晶(jing)體純度：99.995%