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硫(liu)化鎵晶體(ti)(ti) GaS（Gallium Sulfide） 晶體(ti)(ti)尺(chi)寸：~10毫米(mi) 電學(xue)性能：半(ban)導體(ti)(ti) 晶體(ti)(ti)結構：六(liu)邊形 晶胞(bao)參數：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體(ti)(ti)類型：合成 晶體(ti)(ti)純度：＞99.995%

硫化鍺晶(jing)(jing)體 GeS（Germanium Sulfide） 晶(jing)(jing)體尺寸(cun)：~10毫(hao)米(mi) 電學性能：半導體 晶(jing)(jing)體結構(gou)：斜方晶(jing)(jing)系 晶(jing)(jing)胞參數(shu)：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90° 晶(jing)(jing)體類型：合(he)成 晶(jing)(jing)體純度：＞99.995%

二硫化鉿晶(jing)體(ti) HfS2 （Hafnium Disulfide） 晶(jing)體(ti)尺(chi)寸：~10毫米(mi) 電學性能(neng)：半(ban)導體(ti) 晶(jing)體(ti)結構(gou)：六邊形 晶(jing)胞參(can)數：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)體(ti)類型：合成 晶(jing)體(ti)純度：＞99.995%

二硫化鉬晶(jing)體（天(tian)然） MoS2（Molybdenum Disulfide） 晶(jing)體結構：六(liu)邊形 類(lei)型：天(tian)然晶(jing)體 尺(chi)寸：~10mm-20mm 純度：99% 屬(shu)性：半導體

二硫(liu)化(hua)鉬晶(jing)(jing)(jing)(jing)體（2H-合成(cheng)/99.995%/n 型） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn 晶(jing)(jing)(jing)(jing)體尺(chi)寸:~10毫(hao)米 電學(xue)性能(neng)：N型半導(dao)體 晶(jing)(jing)(jing)(jing)體結構：六邊形(xing) 晶(jing)(jing)(jing)(jing)胞(bao)參數：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)(jing)(jing)(jing)體類型：合成(cheng) 晶(jing)(jing)(jing)(jing)體純度(du)：＞99.995%

二硫化(hua)鉬晶(jing)體(ti)(ti)(ti)（2H-合(he)成/99.995%/p 型(xing)） MoS2（Molybdenum Disulfide）-syn 晶(jing)體(ti)(ti)(ti)尺(chi)寸(cun):~10毫米 電學性能：P型(xing)半導體(ti)(ti)(ti) 晶(jing)體(ti)(ti)(ti)結構：六邊形 晶(jing)胞參數(shu)：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶(jing)體(ti)(ti)(ti)類型(xing)：合(he)成 晶(jing)體(ti)(ti)(ti)純度：＞99.995%