巨納集團NextCVD系列多功能寬密度等離子體CVD（ICP-LP-PE-CVD）結合(he)了電(dian)感耦(ou)合(he)和(he)(he)電(dian)容耦(ou)合(he)輝(hui)光(guang)放(fang)電(dian)的(de)(de)優點，可在寬(kuan)密度工藝范圍(wei)（109-1013 cm-3)實現(xian)穩定(ding)的(de)(de)等(deng)離子體輔助CVD，具有優良的(de)(de)材(cai)料處理性能(neng)和(he)(he)廣泛(fan)的(de)(de)應(ying)用范圍(wei)，是(shi)目前功能(neng)強大(da)的(de)(de)等(deng)離子體CVD系統。

NextCVD 的(de)原創性高密度低頻平板式(shi)電(dian)感耦合等(deng)離子體系統。頻率可(ke)調(diao)節，從(cong)低頻0.5- 4MHz范圍內調(diao)節；電(dian)感天(tian)線(xian)(xian)是平板式(shi)，可(ke)根(gen)據客戶要求改變天(tian)線(xian)(xian)的(de)形狀、大(da)小，從(cong)而(er)實(shi)現兩(liang)種(zhong)不同的(de)放(fang)電(dian)模式(shi)：電(dian)感放(fang)電(dian)和(he)電(dian)容放(fang)電(dian)，兩(liang)種(zhong)模式(shi)下都能實(shi)現穩定放(fang)電(dian)，兩(liang)種(zhong)模式(shi)的(de)等(deng)離子體特性截然不同，可(ke)以實(shi)現不同的(de)功能。

多功能寬密度等離子體等離子體改性及(ji)刻蝕產品特點

基片臺可(ke)電(dian)動旋轉(zhuan)、可(ke)加熱、可(ke)升(sheng)降

配裝(zhuang)手動高真(zhen)(zhen)空(kong)插板(ban)閥、手動角閥、電腦復合(he)真(zhen)(zhen)空(kong)計

由于(yu)采用(yong)了超高(gao)(gao)真(zhen)空密封技術，極限真(zhen)空度(du)高(gao)(gao)，沉積室(shi)可進入10-5Pa量(liang)級，可保證(zheng)更高(gao)(gao)的鍍膜(mo)純(chun)凈度(du)，提高(gao)(gao)鍍膜(mo)質量(liang)

自動(dong)監控和保護(hu)(hu)(hu)功能，包括缺水(shui)欠(qian)壓檢(jian)(jian)測與(yu)保護(hu)(hu)(hu)、相序檢(jian)(jian)測與(yu)保護(hu)(hu)(hu)、溫度(du)檢(jian)(jian)測與(yu)保護(hu)(hu)(hu)、真空系統檢(jian)(jian)測與(yu)保護(hu)(hu)(hu)等(deng)

配(pei)備可開(kai)關觀察(cha)窗，方便觀察(cha)及取樣(yang)品(pin)

設備真(zhen)空系統采用分(fen)子泵+機械泵真(zhen)空機組

采用磁(ci)力耦合傳動(dong)密封技術密封運動(dong)部件

真空(kong)規(gui)用金(jin)屬規(gui)，刀口金(jin)屬密封

性能技術參數

設備極限真(zhen)空度：5.0×10-5Pa（等離子(zi)體沉積腔室）。5.0×10-1Pa進樣室

高密度(du)(du)等離(li)子(zi)體：電子(zi)密度(du)(du)高能(neng)達到1013 cm-3

氣體物離化(hua)率：1-10%

電感耦合離子體電源(yuan)發生器頻率從0.5-4 MHz可(ke)調(diao)，功率可(ke)從0-5000 W調(diao)節(jie)

電感(gan)天線有(you)(you)橢圓(yuan)和圓(yuan)形(xing)兩(liang)種，相應(ying)等(deng)離(li)子(zi)源石(shi)英(ying)窗口形(xing)狀也有(you)(you)橢圓(yuan)和圓(yuan)形(xing)兩(liang)種，相應(ying)等(deng)離(li)子(zi)體放電模式也有(you)(you)電感(gan)和電容模式兩(liang)種，可(ke)根據(ju)用途選擇。等(deng)離(li)子(zi)體源石(shi)英(ying)窗口大小可(ke)根據(ju)要求進行調節(jie)

供(gong)電：～380V三相(xiang)供(gong)電系統（容量7KW），冷卻水(shui)循環(huan)量1M3/H，工作環(huan)境溫(wen)度10℃～35℃，冷卻水(shui)溫(wen)度18℃～25℃

設(she)備(bei)占用面積12M2（設(she)備(bei)安裝(zhuang)面積4M×3M）

進樣(yang)室上方窗(chuang)口（玻璃橡膠圈密(mi)封）：￠20cm

沉(chen)積(ji)室抽氣口在底(di)部，樣品(pin)架的兩邊抽氣，有(you)利于薄膜的均(jun)勻沉(chen)積(ji)

設(she)備總體漏放率：關機(ji)12小時后(hou)，真空(kong)度≤10Pa

從大氣到(dao)抽到(dao)≤7×10-4Pa，小(xiao)于45min(新設備充干燥氮氣)，提高了(le)工(gong)作效率

樣品(pin)臺(tai)可(ke)旋(xuan)轉，速度：0～25轉／分(fen) 可(ke)控可(ke)調(diao)。（樣品(pin)臺(tai)尺寸￠200mm）

基片尺寸￠6英寸（根(gen)據用戶(hu)需要可變）

樣品臺加(jia)熱器溫(wen)(wen)度：室(shi)溫(wen)(wen)～500±1℃。溫(wen)(wen)度可控可調

基片最大升降(jiang)距(ju)離(li)0～100mm可調

配備2支(zhi)￠3英寸磁(ci)控靶，其(qi)中一支(zhi)可鍍鐵磁(ci)材料(liao)，磁(ci)控靶可伸(shen)縮(suo)

磁控濺(jian)射靶電源：射頻源 500W、13.56MHz；直流濺(jian)射電源，500W

缺水欠壓檢測(ce)(ce)(ce)與保(bao)護(hu)、相序檢測(ce)(ce)(ce)與保(bao)護(hu)、溫度檢測(ce)(ce)(ce)與保(bao)護(hu)、真空系統檢測(ce)(ce)(ce)與保(bao)護(hu)

應用領域：

光伏行業（氮(dan)化(hua)硅(gui)/非晶(jing)硅(gui)/微晶(jing)硅(gui)/等離子體織構與刻(ke)蝕）

新型二維(wei)材料(liao)（石墨烯/二硫(liu)化(hua)鉬等的表面改性及(ji)制備）

半導體工(gong)藝（刻蝕工(gong)藝/氮化(hua)硅(gui)(gui)與二(er)氧化(hua)硅(gui)(gui)工(gong)藝等）

納米(mi)材料的(de)(de)生長與納米(mi)形貌的(de)(de)刻蝕構(gou)造

石(shi)墨烯氫等離(li)子(zi)體可控改性

氬(ya)等離子(zi)體可控改性(xing)：引(yin)入空(kong)位(wei)缺陷(xian)

氫等離(li)子體(ti)可控(kong)改性：引(yin)入SP3缺陷